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NEC光・超高周波デバイス研究所 | 論文
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- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
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- GaN基板結晶成長技術の最近の進展(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- Siダブルスリットを有する高信頼LiNbO_3光変調器
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- Ti:LiNbO_3 Optical Modulators for 40 Gb/s operation
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