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NEC光・超高周波デバイス研究所 | 論文
- 量産に適した青紫色半導体レーザ(RiS-LD)の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ハイドライドVPE,MOVPEによるGaN ELO成長(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- III-V族化合物半導体気相成長プロセスの解明 - 実験とシミュレーション -
- ALE成長とデバイス
- p^再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
- 位相調整機能付SMZ超高速光スイッチ
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- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- C-3-56 アレイ駆動対応CMOS-IC/TEC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール
- C-3-37 ドライバ内蔵SOAGモジュール
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
- C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器
- マイクロ波帯におけるHBTの低雑音化
- 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用