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NEC光・超高周波デバイス研究所 | 論文
- 5GHz帯無線LAN用23/3dB利得切替低雑音増幅器
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
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- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
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- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
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- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
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- C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-3-5 WDM用PICの極小化を可能とするマイクロアレイ技術
- 第16回IEEE半導体レーザ国際会議
- 光通信用長波長半導体レ-ザ (特集 オプトエレクトロニクス)
- 量産に適した青紫色半導体レーザ(RiS-LD)の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)