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NEC光・超高周波デバイス研究所 | 論文
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- W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおける歪み相殺を用いた効率向上手法
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- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
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- 携帯電話用Si Power MOSFETの高効率化
- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- 隣接チャネル漏洩電力の解析
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- DCドリフトフリー・偏光無依存Ti:LiNbO_3マトリクス光スィッチ
- DCドリフトフリー・偏光無依存Ti:LiNbO_3 4×4マトリクス光スィッチ
- CS-3-2 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(CS-3.マイクロ波トランジスタ高出力増幅器の現状と今後の展開,シンポジウム)