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NECシリコンシステム研究所 | 論文
- FeRAMビット線読み出し電圧の強誘電体ヒステリシス形状依存
- 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
- ビット線-プレート線間の容量結合を考慮した強誘電体メモリのビット線電圧Q-Vプロット
- フラッシュ連想メモリ(Flash CAM)検索センスアンプの開発
- 1Mbit 2Tr/bitフラッシュ内容アドレスメモリ : Flash CAM
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
- オペレーティングシステムインターフェースを使ったプロセッサモデルのRTLシミュレーション手法
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- マルチメディア時代へ向けた高速光通信用Si-ICの開発
- 2.4Gb/s光通信用MOS-プリアンプIC
- ギガビット動作CMOS-DEMUX