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MIRAI-ASET | 論文
- Anomalous positive V_ shift in HfAlO_x MOS gate stacks
- Reliable Extractions of EOT and V_ in Poly-Si Gate High-k MISFETs through Advanced Modeling of Gate and Substrate Capacitances
- Ge MOSデバイスの熱安定性 : Ge oxygen[GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide[GeO(II)]の役割(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET