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株式会社日立製作所中央研究所 | 論文
- C-10-3 裏面エミッタ電極を有するInGaP/GaAsコレクタアップ・トンネリングコレクタHBTの試作
- 樹脂埋め込み型高周波 MCM への STO 薄膜容量内藏プロセス技術の検討および周波数特性
- 小径および均一フィラー添加埋め込み樹脂の開発およびその樹脂埋め込み型高周波 MCM への応用
- 樹脂埋込み型GHz帯フェイスアップ高周波MCM (特集 情報・通信の変革に伴う 基板材料の新展開) -- (実装基板--3.高周波回路用)
- 樹脂埋め込み型GHz帯高周波MCM技術 (実装技術ガイドブック1999年) -- (実装プロセス編)
- 樹脂埋め込み型高周波 MCM の新構造とエッチング/プレス一括成形工法
- 樹脂埋め込み型フェイスアップ高周波 MCM
- InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- 三次元CGを用いた手話アニメ-ション編集ツ-ル
- 13-11 3次元周波数領域におけるEDTV信号の非線形歪解析
- 単板カラー固体撮像素子用色フィルター
- 2-3 単板カラーMOS撮像素子の信頼度特性の解析と測定
- rf-SQUIDネットワークにおけるオートマトン動作
- 2行同時独立読出しIL-CCDの提案(固体撮像技術)
- 4-3 MOS形単板カラー撮像素子の低雑音駆動法の検討
- 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- Cu配線のストレスマイグレーションによるVia劣化とその対策
- ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術