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株式会社ルネサステクノロジ | 論文
- 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-12-40 3値CAMセルのプルダウントランジスタの構成に関する検討(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- 3Dグラフィックスに適したRead/Write同時動作が可能な0.18um混載DRAMマクロ
- 800Mbps動作DDRメモリ対応DLLおよび90°位相シフタ
- 800Mbps動作DDRメモリ対応DLLおよび90゜位相シフタ
- コントローラ内蔵CDRAMの開発[2] : アクティブプルアップ制御方式
- コントローラ内蔵CDRAMの開発[1] : リフレッシュ制御方式
- CPU直結型コントローラ内蔵 16M CDRAM
- 180MHz動作マルチプルレジスタ16MbシンクロナスDRAM
- 9.極低電圧動作による低エネルギーLSI(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- 低電圧動作ゲートアレイ向けSRAMメモリセルの高速化検討
- 携帯型422P@HLエンコーダシステム対応64Mbit-DRAM内蔵1チップMPEG-24 22P@MLエンコーダLSIの開発 (「VLSI一般」)
- B-5-19 ISO15693変調信号に対する相関検波適用の検討(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般セッション)
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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