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株式会社ルネサステクノロジ | 論文
- 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
- 高速/高信頼性 130nm-node MRAM
- 酸化膜信頼性におけるTDDB初期故障特性評価
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- C-10-8 電力増幅器制御用カレントミラー型バイアス回路
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- CuAl合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
- CVD-TiN/Tiバリアメタルのコンタクトプラグプロセスへの応用
- 低消費データ保持モードを搭載したモバイル用途向け16Mbit混載DRAMコア(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
- 1206 ソフトウェア開発プロジェクトにおける品質データの可視化と問題分析への適用(一般セッション)
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