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東芝セミコンダクター社 | 論文
- 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ
- 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ
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- 可変閾値(VT)方式による0.9V 150MHz 10mW二次元離散コサイン変換プロセッサ
- A 0.9V 150MHz 10mW 4mm^2 2-D Discrete Cosine Transform Core Processor with Variable Threshold-Voltage (VT) Scheme
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
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- 1200DPI-CCD密着センサモジュールの開発
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- SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm^2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
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- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
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- (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- DC-DCコンバータの高効率化設計と将来予測
- 寄生インダクタンスを低減した次世代電源用マルチチップモジュール