スポンサーリンク
東芝セミコンダクター社 | 論文
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- メモリセルトランジスタのシュリンクに適したDRAM array architecture
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- ED2000-121 / SDM2000-103 / ICD2000-57 16Mbit DRAM混載MPEG-4テレビ電話LSI
- ED2000-121 / SDM2000-103 / ICD2000-57 16Mbit DRAM混載MPEG-4テレビ電話LSI
- 可変電源電圧供給方式と2電源化方式を組み合わせた低電力技術におけるトップダウン設計手法
- 可変電源電圧供給方式と2電源化方式を組み合わせた低電力技術におけるトップダウン設計手法
- 電圧制御手法を導入した低消費電力MPEG4圧縮伸長LSI
- 電圧制御手法を導入した低消費電力MPEG4圧縮伸長LSI
- 10)静止画用狭帯域カルニコンカメラの試作((テレビジョン電子装置研究会(第73回) 画像表示研究会(第30回))合同)
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- 高信頼圧接型IGBT
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))