高信頼圧接型IGBT
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 4.5kV-6kA遮断IEGT圧接型パッケージの開発
- 437 応答曲面法を用いた電子機器はんだ接合部の強度信頼性予測法(OS01-3 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(3))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 高信頼圧接型IGBT
- 高直流耐圧GTOサイリスタ (半導体デバイス)
- パワ-デバイス技術 (直流送電技術)
- 高耐圧・大容量サイリスタとダイオ-ド (最先端パワ-デバイスで何ができるか)
- 1A・200V光サイリスタとその応用 (脚光をあびる光サイリスタとその応用)
- 1825 半導体パッケージの実装構造における複合領域の信頼性解析法
- 647 パワーユニットの熱抵抗ロバスト性評価
- 831 ベイズ理論に基づく応答曲面近似式の高精度化手法の提案
- 高性能4.5kV-4kA GTOサイリスタ (個別半導体・CCD)
- 高耐圧大電流IEGT (特集 大電力パワーデバイスと応用製品)
- パワーエレクトロニクス用大容量IEGT (特集 パワーエレクトロニクス 快適な社会を創り,地球環境保護に貢献するパワーエレクトロニクス)
- 817 プラスチック筐体に内蔵されたプリント基板の落下衝突挙動
- 748 ADVENTUREcluster システムを用いた高密度実装基板の大規模応力解析
- 702 統計的手法を用いた電子機器はんだ接合部の構造信頼性設計
- A-34 半導体デバイス関連
- 高電圧大容量パワ-デバイス:IEGT (′98スイッチング電源ハンドブック--省エネとソフトスイッチング&進むIC化)
- パワー半導体デバイス技術の現状と今後 (特集 パワーエレクトロニクス技術の動向) -- (パワー半導体デバイス技術)
- 0125 BGAはんだ接合部の衝撃強度評価試験法(OS09-04 材料・構造の衝撃問題4,OS09材料・構造の衝撃問題(2))