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東芝セミコンダクター社 | 論文
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- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 高速低消費電力SOI技術 (特集 先端半導体デバイス技術)
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
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- コンディショナルクロッキングF/Fの低電力H.264/MPEG-4オーディオ/ビデオコーデックへの応用(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- モジュールの電圧/周波数を動的に制御したH.264/MPEG-4 Audio/Visual Codec LSI(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- ED2000-121 / SDM2000-103 / ICD2000-57 16Mbit DRAM混載MPEG-4テレビ電話LSI
- 技術読物 ISSCC2000の最新デバイスハイライト(2)(ISSCC2000詳報)MPEG-4テレビ電話用システムLSIの開発
- DC-DCコンバータ用30V系微細ショットキー内蔵トレンチMOSFET
- フローティングP構造低耐圧 Trench MOSFET のシミュレーションによるスイッチング特性解析
- 微細トレンチを用いた超低オン抵抗MOSFET
- SuperJunction 構造MOSFETのリバースリカバリ特性シミュレーション
- ポリメタルゲート電極技術
- SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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