スポンサーリンク
東芝セミコンダクター社 | 論文
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- DC-DCコンバータ高効率化方法とSi物性で制限される限界効率(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- バンプ接続を用いた12V入力10A級 1chip DC-DC コンバータ
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性
- マイクロ波測定技術のパワー素子への適用検討 : TDRとネットワークアナライザによる寄生LCRの測定
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シリコンパワーデバイスの現状(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- シリコンパワー素子の現状
- 国際会議レポート : APEC2004
- [特別講演]次々世代CPU用電源(小テーマ:部品・デバイス・材料技術関連)
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- A 160mW, 80nA Standby, MPEG-4 Audiovisual LSI with 16Mb Embedded DRAM and a 5GOPS Adaptive Post Filter(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 32bit RISC CPUコアを内蔵したIEEE 802.11a準拠1チップMAC/PHYプロセッサ(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- リエントラントフローショップスケジューリング問題に関する研究(第2報) : 発見的なスケジューリング手法の提案
- リエントラントフローショップスケジューリング問題に関する研究(第1報) : 数理計画法による最適化
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- NAND型DRAMにおける折り返しビット線方式の検討
- NAND型セルを用いた256Mb DRAM
- 新時代におけるマルチコア戦略(マイクロアーキテクチャ,集積回路とアーキテクチャの協創〜どう繋ぐ?どう使う?マルチコア〜)
スポンサーリンク