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東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻 | 論文
- ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- HfNのECR Ar/O_2プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ECR-Ar/N_2プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 強誘電体メモリ技術
- ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- ECRプラズマプロセスによるHfO_2系絶縁膜の極薄膜化の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
- Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御(プロセス科学と新プロセス技術)
- HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- SBSIプロセスによるSOI/BOX層の均一形成に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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