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東京エレクトロン株式会社 | 論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
- Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
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- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- ポリメタルゲート電極技術
- W/poly-Si 積層構造による低抵抗ゲート電極(poly-metal ゲート)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 異文化コミュニケーション授業の新展開 : 日韓中3大学接続による同時双方向遠隔授業(遠隔教育/一般)
- 相互通信環境の動的構成を可能とするミドルウェアの設計
- HDVカメラによるボーリングコア遠隔観察システム(セッション10-B : マルチメディアシステム)
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- IPv6を利用したCATV間での映像流通システムの構築(画像符号化・通信・ストリーム技術および一般)
- IPv6を利用したCATV間での映像流通システムの構築
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