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東京エレクトロン株式会社 | 論文
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- Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
- D1 over IPによる高品質動画像転送・蓄積システムの設計と実装
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- 超高品質・映像音響技術の構築(マルチメディア通信とQoS, VoIP, ストリーミング, 一般)
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- 関連団体の活動状況 : SEMIの省エネルギー化促進活動概要
- 3. HDVによる高画質映像伝送(通信と放送の融合)
- CATV局間における放送素材のデジタル伝送実験 : IPv6を利用したDVCAM映像伝送(デジタル放送技術および一般)
- Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
- 電気検査技術-プリント回路板