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日立製作所デバイス開発センタ | 論文
- Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術
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- LSI 補修パターン整形システム
- LSI 補修設計自動化システム
- 超微細CMOSFET設計における高温RTAのインパクト
- [招待論文] 擬似ベクトル機構を有する並列コンピュータ向けRISCプロセッサ
- ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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- DCCPW線路を用いた光・マイクロ波受信モジュール
- GaAsHIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構
- 1.8V動作AND型512Mbフラッシュメモリの回路設計 (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 電子線ポジ型化学増幅系レジストPSRの現像特性評価とプロセス応用
- 100MHzパイプライン方式シンクロナスDRAMの開発
- シリコンナノドットを用いた不揮発性メモリ (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
- 超高集積Siデバイス (IT基盤研究開発 FED2001--2001年度新機能素子シンポジウム講演録)
- 単一電子デバイスとその応用の展望
- Material Report 極限CMOS開発の現状と将来展望
- 高多重SWマトリクスに関する一考察
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- パスディレイ最適化配置方式