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日立製作所デバイス開発センタ | 論文
- フリーチャネルゲートアレイの配置手法
- 大規模フルカスタムLSIの自動レイアウト設計方式
- 2. ドライエッチング用プラズマの現状と課題 (ドライエッチング用プラズマ)
- 電気特性考慮自動配線手法
- A Bipolar-Based 0.5μm BiCMOS Technology on Bonded SOI for High-Speed LSIs (Special Section on High Speed and High Density Multi Functional LSI Memories)
- Noise Reduction Techniques for a 64kb ECL-CMOS SRAM with a 2ns Cycle Time (Special Issue on LSI Memories)
- Redundancy Technique for Ultra-High-Speed Static RAMs
- ディジタル位相検波回路 (マルチメディア・通信用LSIおよびDSP)
- 応用物性
- シリコンナノエレクトロニクスワークショップ報告
- (Ga,Al)As LPE成長におけるマクロステップとファセットの形成 : ステップ運動
- プロセス/デバイスシミュレータによる高速バイポーラトランジスタの性能予測
- レーザCVDで形成したMo配線の評価
- SCL回路を用いたメモリ用デコーダ回路の検討
- 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
- 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
- CT-1-1 10nm世代に向けたMOSトランジスタの特性ばらつき克服に向けて(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 450℃超低温接合形成のためのメタル汚染低減イオン注入技術
- 16)超LSIにおける微細加工の動向([テレビジョン電子装置研究会(第140回) 画像表示研究会(第104回)]合同)
- 超LSIにおける微細加工の動向