2. ドライエッチング用プラズマの現状と課題 (<小特集>ドライエッチング用プラズマ)
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概要
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The dry etching technology targeting at quarter micron and sub-quarter micron LSI devices become more and more serious. Recently, the high density plasma at low pressure as microwave excited plasma and as inductively coupled plasma has been developed. These plasma equipments are affected by inner walls. There are many ions and neutral radicals in the plasma interacted with wall materials. Therefore, it is necessary to know what kind of particles are useful for dry etching, and to achieve high productivity by utilizing improved scientific techniques . Accordingly, it is hoped that cooperation in the related fields will become closer.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 1995-08-25
著者
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