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日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法
- ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
- p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
- 2.4Gb/s CMOSクロックリカバリ機能付き1:8DMUX
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- 高速デジタルLSI回路技術の現状と展望
- 配線技術とLSI設計
- サブクオータミクロン時代のLSI設計技術
- ディジタルLSIのアナログ回路技術
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- ハード磁気ディスク用スパッタカーボン保護膜の機械的性質
- DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)