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日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所 | 論文
- Ti:LiNbO_3を用いた8連可変光減衰器
- C-3-85 40Gb/s光受信器用高効率導波路型受光素子
- 信号光源用半導体レーザー
- パンチング加工による高精度AuSnバンプ形成
- 装置間インターコネクション用 1.1Gbps×8ch光リンクの開発
- 1.1Gbps×6chアレイ光送受信モジュール
- 大規模光スイッチ用小型SOAゲートモジュール
- C-3-113 MEMSを用いたサージ光抑制器の開発(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
- プレーナ型超格子APD
- ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
- 計測用(波長1.5μm)レンズ集積大口径InAlGaAs/InAlAs超格子
- 10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD
- アイセーフ波長帯計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
- アイセーフ波長帯レーザ計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
- 加入者系用低暗電流メサ型超格子APD
- InAlAs/InAlGaAs 4元井戸超格子APD
- 低暗電流・擬似プレーナ型超格子APD