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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- Large Conductance Modulation in Interdigital Gate HEMT Device due to Surface Plasma Wave Interactions and Its Device Application
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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- 新しいゲート構造を有する化合物半導体単電子デバイスの製作と評価
- Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices(Session 2B : Graphene and III-Vs)
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- Formation and application of InP porous structures on p-n substrates
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- C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
- (4×6)Ga安定化面上に形成したSi及びGaN界面制御層によるGaAs(001)表面不活性化とその評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs(001)Ga安定化面に形成したSi超薄膜のSTMによる評価
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- インジウムリン系材料への新しいゲート技術
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価