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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
- 多段原子ステップを用いた電子波干渉素子
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ED2000-98 GaN関連材料の表面・界面の評価と制御
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- Sensing Mechanism of InP Hydrogen Sensors Using Pt Schottky Diodes Formed by Electrochemical Process
- Arプラズマ雰囲気中でのレーザアブレーション炭素薄膜堆積
- レーザアブレーションプルーム(カーボン)の観測
- レーザアブレーション法による炭素薄膜の堆積
- GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術)
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