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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- Schottky in-plane gate 構造を有する量子デバイス
- 超薄膜Si形成のためのGaAs初期表面の検討とそのパッシベーション効果
- GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- Hexagonal Binary Decision Diagram Quantum Circuit Approach for Ultra-Low Power III-V Quantum LSIs
- Measurement and analysis of vibration in the myocardium telescopic motion for novel echo-graphic diagnosis
- 量子井戸端への直接ショットキー接合の形成とその細線トランジスタへの応用
- Single Flux Quantum Multistage Decimation Filters(Special Issue on Superconductor Digital/Analog Circuit Technologies)
- Design of SFQ Circuits and Their Measurement(Special Issue on Superconductive Electronics)
- Noise-Shaping Characteristics of Superconducting Band-Pass Sigma-Delta Modulators(Superconductors)
- GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- 超薄AIO_x膜およびECR-CVD SiN_x膜を用いたAlGaN/GaNヘテロ構造表面の制御
- Optimization and Interface Characterization of a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer
- PMOSFETのSiO_2-Si界面における燐のパイルアップモデル
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