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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- (111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成(量子効果デバイス及び関連技術)
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- MBE選択成長法によるヘキサゴナルGaAs細線ネットワークの作製と評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用
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- MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用
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- 第14回有機金属気相成長国際会議報告
- MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
- 新形高性能トランジスタ : β-MOSFET(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- Effects of surface states and Si-interlayer based surface passivation on GaAs quantum wires grown by selective molecular beam epitaxy
- Transmural Histological Heterogeneity and LVEDP Elevation in HCM
- Tissue Characterization of Atherosclerotic Plaque by Ultrasonic Measurement of Regional Elasticity
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
- MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
- MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用
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- Embedded Nanowire Network Growth and Node Device Fabrication for GaAs-Based High-Density Hexagonal BDD Quantum Circuits
- Growth kinetics and theoretical modeling of selective molecular beam epitaxy for growth of GaAs nanowires on nonplanar (001) and (111)B substrates