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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- Investigation of Side-gating Effects in GaAs-based Quantum Wire Transistor (QWRTr) utilizing Nanosized Schottky Gates
- Surface-related reduction of photoluminescence in GaAs quantum wires and its recovery by new passivation
- Cross-Sectional Evolution and Its Mechanism during Selective MBE Growth of GaAs Quantum Wires on (111)B Substrates
- Growth of AlGaN/GaN Quantum Wire Structures by RF-Radical Assisted Selective MBE on Pre-Patterned Substrates
- Evolution Mechanism of Heterointerface Cross-section during Growth of GaAs Ridge Quantum Wires by Selective Molecular Beam Epitaxy
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- The in-stent restenosis rate of postmenopausal women dramatically increases to the level of age-matched men
- Ultrasonic Measurement of Regional Elasticity of Arterial Wall for Evaluation of Vulnerability of Atherosclerotic Plaque
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)