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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Strong Photoluminescence and Low Surface State Densities on Clean and Silicon Deposited (001) Surfaces of GaAs with (4 × 6) Reconstruction
- Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistors
- Pt Schottky diode gas sensors formed on GaN and AlGaN/GaN heterostructure
- Computer simulation of current transport in GaN and AlGaN Schottky diodes based on thin surface barrier model
- Analysis and control of excess leakage currents in nitride-based Schottky diodes based on thin surface barrier model
- Leakage mechanism in GaN and AlGaN Schottky interfaces
- GaN表面の電気化学酸化とデバイス表面制御への応用
- 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 単電子デバイスの準静的動作による断熱的スイッチング(半導体材料・デバイス)
- C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
- QMESFETの提案と試作
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- ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-12-9 人工誘電体を用いた高利得シリコン基板上アンテナ(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-1 カーボンナノチューブにおける一次元伝導の観測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Right Ventricular Ejection Function Assessed by Cineangiography : Importance of Bellows Action