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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- Teraheltz Response of Schottky Wrap Gate-Controlled Quantum Dots
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- Effects of surface states on control characteristics of nano-meter scale Schottky gates formed on GaAs
- Graph-Based Quantum Logic Circuits and Their Realization by Novel GaAs Multiple Quantum Wire Branch Switches Utilizing Schottky Wrap Gates
- Reactive Ion Beam Etching of GaN and AlGaN/GaN for Nanostructure Fabrication Using Methane-Based Gas Mixtures
- Novel Quantum Wire Branch-Switches for Binary Decision Diagram Logic Architecture Utilizing Schottky Wrap-Gate Control of GaAs/AlGaAs Nanowires
- GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
- GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
- ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
- In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作
- Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用
- C-10-4 電気化学酸化による埋込酸化膜ゲートAlGaN/GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-32 カスコード構造による低電力CMOS論理回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現
- CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
- ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成
- Cu-Zrアモルファス合金を用いたn-InPへのオーミックコンタクト