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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価
- GaAs加工基板を用いた自然形成InAsドットの作製とそのデバイス応用
- パルス幅変調にもとづく多値論理処理
- パルス幅変調による多値論理
- 決定グラフにもとづくνMOS多値論理回路
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- Mechanism of current leakage through metal/n-GaN interfaces
- Heart murmur transmitted to the myocardium determines ventricular function and transmural myocardial functional heterogeneity
- Relationship between passive thickening of transmural myocardial layer at late diastole and elevated LVEDP in HCM
- カスコード構造によるCMOS論理回路の低電力化 (情報センシング)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
- Growth of GaAs/InAs Antidot Structure by Solid-Source MBE
- Structural and Optical Properties of InGaAs Ridge Quantum Wire Arrays with Sub-micron Pitches Grown by Selective MBE on InP Substrates
- Si界面制御層を用いた化合物半導体量子井戸構造の表面不活性化
- 半導体ナノ構造の自然形成
- 量子細線・量子ドット構造のAFMによる評価
- AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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