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(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー | 論文
- 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
- ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
- シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
- 極薄シリコン酸化膜における絶縁破壊とストレスリーク電流の起源
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 微細MOSトランジスタの特性揺らぎの問題
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 第48回真空に関する連合講演会開催報告
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiGe基板上ひずみシリコン結晶技術
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- Hf-シリケート高誘電体ゲート絶縁膜の絶縁破壊機構
- 絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
- 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明
- 極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案
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