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(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー | 論文
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- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整
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