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(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 | 論文
- NAND EEPROM における新しいビットごとベリファイ回路の提案
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
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- ポリシランを用いたLSI超微細加工用パターントランスファー膜特性と分子構造との相関 : 反射防止膜とパターントランスファー特性を兼ね備えたLSI微細加工用材料
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
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- 活性なケイ素化合物とアルミニウム錯体からなるエポキシ樹脂硬化触媒と他の付加反応への応用
- 30a-YE-1 新反射防止膜の加工特性
- スピードを維持した50%省電力化回路
- 256Mb DRAMのためのNAND型セル技術
- 完全CMOSプロセスを用いたバイポーラ搭載高速キャッシュSRAM製造プロセスの開発
- 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
- 2層Al配線を用いた1Mビット強誘電体メモリー技術
- 30a-PC-13 高段差被覆性を有するWN-CVD成膜技術
- STARCにおける物理設計技術開発の課題と活動
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- TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発(デザインガイア2010 : VLSI設計の新しい大地)
- 実用化が始まったFeRAMの最新動向
- フレキシブルブロックリダンダンシと高速高精度ワード線電圧コントローラを搭載した44mm^24バンク8ワードページ64Mbフラッシュメモリ