ポリシランを用いたLSI超微細加工用パターントランスファー膜特性と分子構造との相関 : 反射防止膜とパターントランスファー特性を兼ね備えたLSI微細加工用材料
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概要
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超微細加工用反射防止膜には、deep UV領域で高い光学定数n, k値を持ち、レジストに対するエッチング選択比が高い特性が要求される。ポリシランは炭素系ポリマに比較し、それらを両立しやすい。光学特性、エッチング選択比と分子構造の関連を調べ、ポリシラン構造の最適化を行った。光学定数n, k値およびエッチング選択比の双方を増大させるには、フェニルシリンのような分岐した主鎖が有望であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-28
著者
-
大岩 徳久
(株)東芝セミコンダクター社
-
塩原 英志
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉川 佐和子
(株)東芝研究開発センター
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早瀬 修二
(株)東芝研究開発センター
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中野 義彦
(株)東芝研究開発センター
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太田 英男
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 康彦
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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三好 靖郎
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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大西 廉伸
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
阿部 淳子
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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松山 日出人
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
濱田 吉隆
信越化学(株)シリコーン電子材料技術研究所
-
濱田 吉隆
信越化学工業(株)シリコーン電子材料技術研究所
-
大岩 徳久
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
早瀬 修二
(株)東芝研究開発センタ
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