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(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 | 論文
- Shallow Trench Isolation (STI)を用いた高密度・多値NANDフラッシュメモリ
- 不揮発性メモリとそのスケーリング
- マルチメディアLSIに適した専用メモリマクロの設計手法とMPEG2デコーダへの応用
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- センスアンプーフリップフロップを用いた200MHzを画像圧縮/伸張マクロセル : VLD, DCT/IDCT Macrocell using SA-F/F
- 単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討
- 4-4 設計手法 : 低消費電力設計(システムLSI : マルチメディア社会を支えるIC技術)
- 2レベル適応型分岐予測機構のパターン履歴表におけるタグの影響
- VT-CMOS技術のレイアウト設計手法 : MPEG4 Video & Audio Codec LSIへの適用
- 高集積化・高速化のための高信頼性配線技術
- TCADを構成するプロセスシミュレータの開発期間短縮手法の提案 : 標準ライブラリの開発とそれを用いた汎用プロセスシミュレータ
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- 酸化工程における中低濃度Pの拡散シミュレーション
- シリコン中のB_クラスターの構造と物性
- クロックによる2回アクセスのアキミュレータを用いた2次元IDCTマクロセル
- 対拡散モデルを用いた高濃度ホウ素の拡散シミュレーション : 高速計算手法とシミュレーション精度
- 21世紀のULSI製造技術の概観
- Flashのデバイス・シミュレーション技術