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(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 | 論文
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術
- 5. 大容量データストレージ技術 5-4 大容量フラッシュメモリ (大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)
- 180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- 14a-E-15 GaSbのエネルギーバンド構造 II
- 14a-E-14 GaSbのエネルギーバンド構造 I
- TISを用いたギガビットDRAMの設計
- NAND型セルを用いた256Mb DRAM
- NANDフラッシュメモリの動向
- リソグラフィー優先設計の6F^2型DRAMセル
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- コンディショナルクロッキングF/Fの低電力H.264/MPEG-4オーディオ/ビデオコーデックへの応用(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- モジュールの電圧/周波数を動的に制御したH.264/MPEG-4 Audio/Visual Codec LSI(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- NAND EEPROM における新しいビットごとベリファイ回路の提案