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(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ | 論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- Fe16N2単結晶膜の強磁性共鳴の共鳴周波数依存性
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- イオンビームデポジション法による 高耐食・高純度鉄薄膜の形成
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
- CrMnPt反強磁性膜を用いたFe_3O_4膜への交換磁気異方性の付与
- Fe_N_2単結晶膜の垂直磁気異方性
- Fe_N_2単結晶膜の低温X線回折および巨大磁気モーメントの確認
- Fe_N_2単結晶膜の格子定数及び原子数密度による磁気モーメントの詳細測定
- Fe16N2単結晶薄膜の磁性 (特集 磁性体セラミックス)
- Fe_N_2単結晶膜の透過電子線回折像観察
- Fe16N2単結晶膜, マルテンサイト膜及びFe単結晶膜のホール抵抗の温度依存性
- 28a-PS-53 GaAs単結晶基板上に作製した高飽和磁束密度窒化鉄膜
- 高抵抗シールド膜を用いた狭ギャップ再生ヘッド
- CoFe/Al_2O_3グラニュラ膜の磁気,電気特性に及ぼす膜形成条件の影響 : ソフト磁性材料
- イオンミリング法を用いた垂直記録用単磁極ヘッドの作製
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