Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices
スポンサーリンク
概要
著者
-
Takaoka S
Graduate School Of Science Osaka University
-
若家 冨士男
Osaka Univ. Osaka
-
蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
-
蒲生 健次
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
Sakamoto Toshitugu
Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Sakamoto T
Department Of Communication Engineering Faculty Of Computer Science And System Engineering Okayama P
関連論文
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- CO_2 レーザー光検出用無給電スロットアンテナアレーの受信特性
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- Effect of Fermi Level Motion on the Optical, ESR and Transport Properties of CuInSe_2
- ESR and Optical Studies of CuInS_2 Single Crystals
- 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
- Calixarene Electron Beam Resist for Nano-Lithography
- Investigation of Hall Resistivity in Antidot Lattices with respect to Commensurability Oscillations
- On the Mechanism of Commensurability Oscillations in Anisotropic Antidot Lattices
- Current-Direction-Dependent Commensurate Oscillations in GaAs/AlGaAs Antidot Superlattice
- Low-Energy Ion-Beam Irradiation Effects on Two-Dimensional Electron Gas in Modulation-Doped AlGaAs/ GaAs Heterostructure : Micro/nanofabrication and Devices
- Low-Energy Ion-Beam Irradiation Effects on Two-Dimensional Electron Gas in Modulation-Doped AlGaAs/GaAs Heterostructure
- 17pPSA-11 微細加工反強磁性層を有するスピンバルブ膜の電流磁気効果
- 磁性多層膜細線における静磁気的相互作用の研究
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
- 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
- 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
- 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
- 第13回イオンビームによる材料改質国際会議(IBMM2002)報告
- Fabrication of Planar-Type Ferromagnet/Nonmagnet/Ferromagnet Structures Using Multiangle Deposition
- Study of Magnetostatic Interaction in Magnetic Multilayer Wires Using Exchange Anisotropy
- Effects of Stray Fields in Flat-End and Pointed-End NiFe/Cu/NiFe/NiO Wires : Magnetism
- Galvanomagnetic Effect and Magnetization Process in CoO/Co/NiFe Film with Antidot Array
- サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
- Effects of Shape Anisotropy in CoO/Co/Cu/NiFe/Cu/Co Wires
- Magnetization Processes in Narrow and Wide Cross-shaped Co/Cu/NiFe Wires
- Galvanomagnetic Effect of Submicron Exchange-Coupled Co/Ni Wire
- 24pPSB-37 局所的に交換結合した磁性多層膜の電流磁気効果
- サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
- メゾスコピックスケール十字型磁性細線における電流磁気効果
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- 24pPSB-42 強磁性/非磁性/強磁性体における電流磁気効果
- Far-Infrared Magneto-Optical Absorption of Vertically Aligned Double Dot Array System
- Potential Modulation of Semiconductor Dot Array System due to Photoexcitation
- Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices
- Transport Properties in Band-Tails of High Mobility Poly-Si TFTs
- Investigation of Photoresponse in Photoconducting Semiconductor-Superconductor Microstructure
- Transport Properties and Fabrication of Coupled Electron Waveguides
- Evaluation of Edge Channel Width by Frequency Dependence of Capacitance Minima in Quantum Hall Regime
- Magnetic Electron Focusing Effect in GaAs/AlGaAs Heterostructure with Gate-Controlled Byway Channel
- Magnetotransport in Hexagonal and Rectangular Antidot Lattices
- Grain Boundary Structure and Bandtail Transport in High Mobility Poly-Si TFTs
- Investigation of In Situ Process for GaAs/AlGaAs Buried Quantum Wires
- Fabrication and Magnetotransport of One-Dimensional Lateral Surface Superlattice Fabricated by Low-Energy Ion Irradiation
- Magnetotransport in One-Dimensional Lateral Surface Superlattice Fabricated by Low-Energy Argon Ion Irradiation
- Variable-Range Hopping in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor
- Electrical Conductions of High Mobility Poly-Si Thin Film Transistors at Low Temperatures
- Estimation of Damage Induced by Focused Ga Ion Beam Irradiation
- Transport Properties of Coupled Electron Waveguides Buried irn Heterostructure
- Single Particle Relaxation Times from Shubnikov-de Haas Oscillations in Antidot Structures
- 26pPSA-31 Co/Ni磁性細線の電流磁気効果
- サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
- メゾスコピックスケール十字型磁性細線における電流磁気効果
- メゾスコピックスケール十字型磁性細線の電流磁気効果
- 集束イオンビーム加工と分子線結晶成長の複合プロセスと結合低次元電子系の作成
- 集束イオンビームを用いたナノ構造の作製
- マイクロ加工技術はどこまで進んだか(溶接技術展望 : 溶接・接合技術の進歩とその将来)
- イオンビームリソグラフィ(次世代リソグラフィ技術)
- 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
- 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
- 31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
- 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
- Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices
- 単電子素子の環境インピ-ダンスによる制御
- 単電子デバイス作製のための電子ビ-ム誘起プロセスの研究
- 超微細加工と電子波デバイス
- Effects of Shape Anisotropy in CoO/Co/Cu/NiFe/Cu/Co Wires
- Magnetization Process in Narrow and Wide Cross-Shaped Wires of Co/Cu/NiFe Structures
- Galvanomagnetic Effect of Submicron Exchange-Coupled Co/Ni Wire
- Magnetization Process and Resistance Jumps in a Submicron-Scale Cross-Shaped Wire
- Focused Ion Beam Process for Formation of a Metal/Insulator/Metal Double Tunnel Junction
- Exchange Interaction from Current and Voltage Probes in Galvanomagnetic Effect in Polycrystal Co Thin Film
- Focused Ion Beam Process for Formation of a Metal/Insulator/Metal Double Tunnel Junction
- Exchange Interaction from Current and Voltage Probes in Galvanomagnetic Effect in Poly-Crystal Co Thin Film
- Focused Ion Beam Etching of Resist/Ni Multilayer Films and Applications to Metal Island Structure formation
- Transport Properties of a Resistively-Coupled Single-Electron Transistor
- Transport Properties of a Resistively-Coupled Single-Electron Transistor
- Transport Properties of Resistively-Coupled Single-Electron Transistor
- 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
- 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
- Confinement Potential in an Asymmetrically Biased Quantum Point Contact
- Control of Single-Electron Device Using Environmental Impedance Modulation
- Confinement Potential in an Asymmetrically Biased Quantum Point Contact
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- Control of Single-Electron Device Using Environmental Impedance Modulation
- 1p-Q-8 環境インピーダンス変調による単電子トンネルの制御II
- 5p-N-3 環境インピーダンス変調による単電子トンネルの制御
- Possible Control Method for Single Electron Tunneling Based on Environmental Impedance Modulation
- Controllability of Single E1ectron Tunneling and Change in Coulomb Diamond Caused by Environmental Impedance Modulation
- Single E1ectron Tunneling Device Controlled by Environmental Impedance Modulation
- Si基板中へのAu+およびCu+の高濃度イオン注入によるSi-Au,-Cu合金の直接生成