Transport Properties of a Resistively-Coupled Single-Electron Transistor
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概要
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A resistively-coupled single-electron transistor (R-SET), whose gate was a tunnel resistor, was fabricated using a modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructure and metal Schottky gates. Observed current-voltage characteristics show the Coulomb diamonds which are predicted for an R-SET. This means that the tunnel resistor can be used as an R-SET gate.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-04-30
著者
-
蒲生 健次
阪大院基礎工
-
若家 冨士男
Osaka Univ. Osaka
-
蒲生 健二
阪大基礎工
-
蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
-
GAMO Kenji
Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering Sciences,Osaka University
-
蒲生 健次
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
Gamo K
Osaka Univ. Osaka
-
Gamo Kenji
Graduate School Of Engineering Science Osaka University
-
Gamo Kenji
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Gamo Kenji
Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University:research Cent
-
WAKAYA Fujio
Department of Electronics and Materials Physics, School of Engineering Science, Osaka University
-
Wakaya Fujio
Department Of Electronics And Materials Physics School Of Engineering Science Osaka University
-
Kitamura K
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Kise Koji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
KITAMURA Kazuki
Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University
-
IWABUCHI Shuichi
Department of Physics, Faculty of Science, Nara Women's University
-
Iwabuchi S
Department Of Physics Factually Of Science Nara Women's University
-
Iwabuchi Shuichi
Department Of Physics Faculty Of Science Nagoya University
-
IWABUCHI Shuichi
Institut fur Theoretische Physik, Freie Universitat Berlin
-
Wakaya Fujio
Department of Electrical Engineering, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560
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