半絶縁性InP基板を用いた40Gbps電界吸収型光変調器 (特集 化合物半導体)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
-
マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
-
B-10-78 半導体光増幅器に基づく3分岐型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
-
高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
-
100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
C-3-32 入力ダイナミックレンジを拡大した43Gbps用波長変換器の開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-25 100Gb/sイーサネット用1.3μm帯25Gb/s EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-3 引張り歪非対称量子井戸構造43Gbit/sEA変調器集積DFB-LDの40℃動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-25 11.1Gbps-80km伝送用セミクールドEAM-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
-
マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
C-4-16 10Gbps-80km光トランシーバ用高光出力・低チャープEAM-LD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
-
光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
-
C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
-
C-3-42 ガードリングフリー型高速・低雑音AlInAsアバランシェフォトダイオード(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
-
SC-6-2 CWDM 用λ/4 位相シフト DFB レーザ
-
40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
-
C-4-21 40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
-
10Gbps-80km伝送用高光出力・低チャープEAM-LD(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
-
高速光変調器シミュレーション技術 (特集 光・高周波デバイス)
-
40Gbps伝送用低チャーブ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
-
40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
-
40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器
-
C-3-46 非対称量子井戸吸収層を用いた低チャープEA変調器
-
20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
-
電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
-
利得結合DFBレーザの2.5Gb/s,100km伝送特性
-
C-4-31 10G-EPON ONU用光モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-18 10G-EPON用L帯高出力EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
-
2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
-
2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
-
2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
-
C-4-31 光アシスト光源を集積化した波長変換器素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
-
マイクロ波信号伝送用EA変調器モジュール (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
-
メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
-
メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
-
メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
-
メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
-
40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
-
モノリシック集積化光波長変換器の開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
-
モノリシック集積化光波長変換器の開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
-
モノリシック集積化光波長変換器の開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
-
モノリシック集積化光波長変換器の開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
-
C-4-28 3次元電磁界解析による10Gbpsφ3.8mmCAN-LDの高周波応答シミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
-
1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
-
[招待論文]1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
-
半絶縁性InP基板を用いた40Gbps電界吸収型光変調器 (特集 化合物半導体)
-
10Gbit/sアンクールド直接変調光源 (特集 光通信システム/デバイスの低コスト化技術)
-
引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
-
引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
-
CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
-
引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25 / 43Gbps EA変調器付DFB-LD
-
引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変換器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
-
C-14-9 高RF出力同軸型PDモジュール(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
-
高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
-
マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
-
多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
-
100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
-
半絶縁性 InP 窓層/多層反射膜を有するプレーナ構造高速 InGaAs-PD
-
半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性
-
光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
-
フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
-
フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
-
フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
-
光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
-
光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
-
高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
-
高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
-
FP型レーザの変調歪の分散劣化低減の検討
-
アンテナ給電用薄型光モジュール
-
アンテナ給電用薄型光モジュール
-
C-3-14 メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
-
C-3-9 アンテナ給電用薄型光モジュール
-
アンテナ給電用薄型LDモジュール
-
C-4-26 新型プレーナAlInAs-APDの高耐湿特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
-
表面実装型プリアンプ内蔵PDモジュール
-
広温度範囲動作1.3μm帯CATV用DFBレーザ
-
40Gbps光通信用導波路型PD
-
40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
-
40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
-
40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
-
40Gbps光通信用導波路型PD
-
CS-6-3 アンクールドAlGaInAs系レーザの進展(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
-
CS-3-2 アンクールドAlGaInAs系レーザの今後の展開(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
-
C-4-14 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
-
C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク