固体表面に打ち込んだイオンビ-ムの電算機シミュレ-ション-2-He→Nbの投影飛程分布に関するSASAMALの計算結果と解析値及び実測値との比較
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 23p-N-9 イオン照射によってスパッターされた粒子のエネルギー分布
- プラズマイオン注入法の計算機シミュレーション
- PEGASUS : プラズマ材料プロセス・希薄気体統合シミュレーションツール
- 粒子励起X線分析法による窒化ケイ素中の微量不純物の定量
- ガラス及びサファイアへのイオン注入による酸化物微粒子の生成
- Zrに高濃度でイオン注入した窒素の挙動
- 振動加速度の測定によるターボ分子ポンプ軸受けの保全
- ファインセラミック原料粉体のPIXE分析
- 3a-H-7 800KV陽子によるルビーの発光
- 2p-R-9 RBS法によるヘリウムイオンの飛程分布の測定
- プラズマイオン注入法の計算機シミュレーション
- PBII法により作製したDLC膜の摩擦・摩耗特性
- Subplantationモデルに基づいたa-C:H膜形成の動的モンテカルロ・シミュレーション
- イオン注入法を用いたガラス中への酸化銅ナノ粒子の形成
- イオンビ-ムによる材料表面改質の計算機解析 (計算機支援材料設計特集)
- 金属表面への高線量窒素イオン注入 (特集/イオンビ-ムと表面・表層・界面のかかわり(7))
- バイポーラ・パルスを利用したPBII法によるDLC膜コーティング
- 高エネルギーイオンビームとプラズマの複合場を利用した表層改質技術に関する基礎研究
- 高線量でジルコニウムに注入した窒素の共鳴核反応法による深さ方向分布の測定
- 共鳴核反応法による深さ分析
- イオン注入した窒素の共鳴核反応法による深さ分析 : (II)励起曲線から深さ分布への変換プログラム
- イオン注入した窒素の共鳴核反応法による深さ分析 : (I)自動測定装置
- 炭化ケイ素へのヘリウムイオン注入-2-飛程分布形状が表面損傷に及ぼす影響
- 4. プラズマイオン注入法におけるプラズマのPIC-MCCシミュレーション(プラズマ応用技術におけるシミュレーション研究)
- α,β線用シンチレ-タの開発--蛍光体のシンチレ-ションと光発光の比較
- トリガ-パルスとして241Am線源を用いた簡単な飛行時間質量分析計
- トリガ-パルスとして241Am線源を用いた簡単な飛行時間質量分析計
- 核融合炉第一壁材としてのボロン膜のスパッタ率測定
- 重イオンによる内殻電離確率の衝突径数依存性-1-陽子によるK殻電離確率
- 10p-T-6 陽子による内殻励起微分断面積の測定
- 3p-B-7 NaCl単結晶のスパッタリングに及ぼすチャネリングの影響
- 3a-P-1 イオン結晶における低エネルギー・チャネリング効果
- 炭化ケイ素へのヘリウムイオン注入-1-トラッピングとガス再放出特性
- ガス放出を利用したHeのNi中での飛程分布測定(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 固体表面に打ち込んだイオンビ-ムの電算機シミュレ-ション-2-He→Nbの投影飛程分布に関するSASAMALの計算結果と解析値及び実測値との比較
- 固体表面に打ち込んだイオンビ-ムの電算機シミュレ-ション-1-液体モデルを用いたシミュレ-ションプログラムSASAMAL
- He照射したSiC/graphiteの表面損傷 (「低Zコ-ティング膜のキャラクタライゼ-ションワ-クショップ」「プラズマ・壁相互作用に関する研究会」報告) -- (low Z材料の特性と開発)
- エネルギー分布を持つHeイオン照射したSiCの表面損傷
- 無機材料中における入射イオンの投影飛程と標準偏差
- H2+及びHe+照射による炭化けい素の表面損傷
- サ-モルミネセンス法による陶磁器の年代測定の可能性
- 軽イオン照射によるSiCの表面観察
- 後方散乱法によってAr+とO2+で照射された銅と金膜のスパッタリング収率の測定
- 荷電粒子線照射温圧制御装置
- プリドーズによるCVD-SiCのブリスタ抑制効果
- ガス放出を利用したHeのNi中での飛程分布測定(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)