シリコンウェハ-上への無電解めっきの密着性 (膜の密着性特集号)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 各種基材への平滑回路形成のためのめっきプロセス (特集 次世代電子回路基板) -- (材料・プロセス技術)
- Pd混合触媒に代わる無電解めっき用Cu混合触媒の検討
- ニオブナノ粒子を用いたニッケル無電解分散めっきのNi-Nb合金化過程
- 光触媒およびUVを前処理に用いた導電微粒子の作製
- UVを用いた液晶ポリマーの表面改質
- アルマイト層を利用した高熱伝導性プリント配線板
- 絶縁樹脂との接着性向上のためのアルミニウム表面粗化方法
- 樹脂との接着性向上の為のアルミニウム表面粗化方法
- 新規な環境低負荷型封孔処理剤の合成およびその評価
- DMAB を還元剤とした無電解 NiB めっきの浴安定性とめっき膜のはんだ濡れ性評価
- 不導体および導体上における無電解 NiP めっきの初期析出形態
- ヒドラジンを還元剤とした無電解ニッケルめっき膜の平滑化とキャップメタルヘの応用
- 第 14 回 エレクトロニクス実装学術講演大会印象記
- 各種基材への平滑回路形成のためのめっきプロセス
- ダイヤモンド電極を利用する銅めっき浴用添加剤の電気化学的分析
- ニッケルバンプ形状制御に用いる新規添加剤の合成とその影響
- 無電解銀めっきによる導電性微粒子の作製
- 浴安定性に優れたヒドラジンを還元剤とした無電解ニッケルめっき
- 微小領域への無電解ニッケルめっき
- 無電解ニッケルめっきの有孔度の低減と環境を配慮した評価法
- 第2還元剤としてDMABを用いた銅ファインパターン上の選択的無電解ニッケルめっき
- ホウ酸代替物質を使用したスルファミン酸ニッケル浴のコンポジットめっきの検討
- 主鎖にスチルベン骨格を有する新規エポキシ樹脂の合成
- ヒドラジンと次亜リン酸の混合めっき浴による微細配線上の無電解ニッケルめっき
- IT化社会とめっき技術
- 半導体技術を用いて作製した薄膜キャパシタの実装方法の検討
- 光触媒を用いた低環境負荷めっき技術
- めっき法と光触媒を用いた低環境負荷接着技術
- めっき技術の新しい展開
- TiO_2を光触媒として用いたビルドアップ用絶縁樹脂の表面修飾とメタライゼーション
- 電気銅めっきによる電流波形制御を用いたビアフィリング
- UVおよびTiO_2を用いたABS樹脂の改質効果
- 光触媒としてTiO_2を用いたビルドアップ法による絶縁材料への無電解銅めっき
- 電子デバイス用先端めっき技術
- 電気銅めっきによる電流波形制御を用いたビアフィリング
- 厚付けノーシアン型無電解金めっきプロセス
- ニッケルマイクロバンプの形状に及ぼすピリジニウムプロピルスルホネイト添加の影響
- 厚付け無電解Ni-Pめっきにおけるピットやノジュール低減の検討
- 無電解めっきによるガラス上へのニッケルマスクの形成
- 非シアン浴中における銀陽極の溶解挙動
- 無電解 NiP めっき膜中におけるリンの分布状態
- 光ファイバプローブを用いた nm オーダ領域での無電解ニッケルめっきの析出挙動
- ULSI 配線上への無電解ニッケルめっきによるバリアメタルの形成
- 環境を配慮した微量スケールでの無電解ニッケルめっきの評価法
- 主鎖にスチルベン構造を有するケイ素含有共役ポリマーの合成
- フィルドビア硫酸銅めっきからの析出銅結晶の特性評価
- 一次乾電池用正極活物質・NiOOHの新しい電解合成法
- 無電解Ni-P合金めっき膜中のP偏析に及ぼす要因の検討
- アカデミアシリーズ UV(紫外線)照射を利用したプラスチック材料へのめっき加工技術
- PETフィルム上への密着性に優れた銅回路形成技術
- UV照射を用いた樹脂表面改質におけるめっき密着メカニズム
- 環境にやさしい新しいプラスチックめっき法
- ホウ酸代替物質を使用したスルファミン酸ニッケル浴から得られためっき皮膜物性とその応用
- スパッタ膜形成条件がフォトレジストのプロファイルおよび金めっき後のバンプ形状に与える影響
- アカデミアシリーズ ハイテクを支える表面処理技術で、電子機器の性能向上を実現
- アカデミアシリーズ 密接な産学協同が支え続ける、半世紀に及ぶ表面工学研究
- 平滑な樹脂基板上へのメタライゼーション
- 電気めっき法による三次元構造体形成
- 電気銅めっきに用いるポリエチレングリコール誘導体の合成とその効果
- 非シアン銀めっきの密着性に及ぽす電極近傍pH変化の影響
- ビアポスト型ビルドアップ配線板のポスト形成および特性
- ビアポスト型ビルドアップ配線板のポスト形成および特性
- 無電解銅メッキ液からのEDTAの回収再利用(研究ノ-ト)
- シクロオレフィンポリマーへの平滑回路形成
- IrO_2/Ti不溶性アノードを用いたビアフィリング用硫酸銅めっき
- 無電解銅めっきの析出形態制御
- ニッケルめっきの皮膜形態におよぼす直接無電解ニッケルめっき法の影響
- 高アスペクト比トレンチ内における無電解めっき反応の解析
- Co (II) 錯塩を還元剤とする無電解めっきの長寿命化と光学用途に関する検討
- 電気銅めっきによるビアフィリング性に及ぼす浴組成の検討
- 電気銅めっきを用いた各種波形制御によるビアフィリング
- 光触媒を適用した環境調和型前処理プロセス(低環境負荷製造技術, グローバル環境調和の時代に向かう実装技術)
- 電気銅めっきによる ULSI 配線形成
- 電気銅めっきによる超微細パターンの作製
- 微小ビアホールへの無電解銅めっきの均一析出性
- 粗化処理無しの平滑銅-エポキシ絶縁樹脂間の密着性
- 次亜リン酸塩を還元剤とする無電解銅めっきによる導体層-絶縁樹脂層の密着性
- ビルドアップ配線板における層間接続の密着性に及ぼす諸因子について
- 光ファイバ上への無電解めっき
- PR電解法によるビアフィリングの形成
- はんだ接合強度に及ぼす無電解ニッケル-置換金めっきプロセスの影響
- 無電解Pd-Ni合金比率におよぼす浴組成の影響
- 無電解Pd-Ni合金めっきにおよぼす浴組成の影響
- 無電解めっき法によるマイクロバンプ形成
- 無電解めっき法によるマイクロバンプ形成
- ジメチルアミンボランを第2還元剤とした無電解ニッケルめっき
- DMAB溶液による銅パタｰンの選択的活性化法
- 亜硫酸金錯体からの無電解金めっきのワイヤーボンディング性
- マイクロバンプ形成のためのめっき技術
- 無電解ニッケルめっきによるアルミニウム上へのマイクロバンプ形成
- マイクロバンプ形成とめっき
- 紫外線処理による有機性汚濁指標としてのCOD除去
- マイクロバンプ形成とめっき
- 光触媒としてTiO_2を用いたABS樹脂めっきのクロムフリーエッチング代替処理
- 無電解Ni-Pめっき膜中のリンの偏析
- ガラス基板上への無電解NiPめっきの初期析出挙動
- 電析ニッケルマイクロプローブの形状制御に及ぼす添加剤構造の影響
- 高アスペクト比を有する電析Niマイクロプローブの試作
- TiO_2およびUVを適用したクロムフリーABS樹脂めっき方法
- 超音波照射を用いた無電解ニッケルめっきによる近接場光学プローブの作製