2p-A1-3 Si(111)5×5-GeのAR-EELS(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1985-03-31

著者

• 長谷川 繁彦

  阪大産研

• 岩崎 裕

  阪大産研

• 李 成泰

  阪大産研

• 中村 勝吾

  阪大産研

関連論文

• 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 24pTD-1 タウマチン結晶構造への塩の影響(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXK-9 荒れた微斜面の平坦化I-SrTiO_3のSTM観察(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXK-10 荒れた微斜面の平坦化II : MCシミュレーション(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXL-6 SrTio_3(001)表面における三次元穴の緩和II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 半導体化学イメージセンサのマイクロ流路デバイスへの応用
• 22pPSA-6 AFMによるタウマチン正方晶の分子分解能観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-5 AFM による卵白リゾチーム結晶 (110) 面の成長観察
• 半導体化学イメージセンサによるマイクロ流路内のイオン濃度分布測定
• 21aWH-11 SrTiO_3(001)表面における三次元穴の緩和(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Interface Morphology of Thermal-Oxide/Si(001) Studied by Scanning Tunneling Microscopy
• 01pC05 荒れた微斜面の平坦化 : STM観察とMCシミュレーションI(結晶成長基礎(3),第36回結晶成長国内会議)
• 25pPSB-40 SrTiO_3(001)表面における多層構造を形成している穴の熱緩和に関する研究(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-3 3次元核形成がもたらすリゾチーム正方晶の結晶形態のばらつき(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-2 AFMによる卵白リゾチーム斜方晶form I型結晶の観察(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXJ-1 Si(111)微斜面におけるステップ核形成によるCaF_2薄膜の成長形態(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 原子間力顕微鏡を用いたシリコン表面の局所陽極酸化 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
• 30aPS-2 AFMによる卵白リゾチーム針状結晶の観察(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXJ-10 SrTiO_3(001)におけるSTM探針により作成したステップの非平衡構造の熱緩和(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 半導体化学イメージセンサの開発と応用 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
• メゾ構造のアニールによる変形と制御
• 21aPS-55 ステップ間相互作用が存在する系でのステップの熱平坦化のモンテカルロシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-2 a-SiO_2中におけるSi結晶成長のモンテカルロシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-1 Si(111)微斜面におけるCaF_2膜の成長過程(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 原子間力顕微鏡によるシリコン表面のナノ陽極酸化
• SrTiO_3(001)表面におけるステップの熱緩和
• 27aWB-4 SrTiO_3(001)表面のステップの熱緩和過程におけるステップ間相互作用の影響(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-144 結晶微細構造のコーナー部分におけるステップのダイナミクス(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 25aZB-11 欠陥を持つ興奮性反応場でのスパイラルウェーブの生成と運動
• 25aT-5 化学反応波のギャップ伝播
• 28a-P-9 ドットアレイ反応場でのパターン形成
• 19pPSB-51 STMによるSi(113)表面上のCaF_2成長に関する研究
• Enhanced Nano-Oxidation on a SCi-Treated Si Surface Using Atomic Force Microscopy
• 26p-G-7 格子状反応場での興奮波パターン
• PHイメージセンサーを用いた細菌コロニーのイメージング
• 28p-C-1 銅めっき表面のカイネティックラフニング : シミュレーション
• 4p-E-5 電気化学堆積銅表面のカイネティックラフニング
• 3a-YH-7 微斜面におけるステップの揺らぎと表面の揺らぎ
• 15aPS-48 CaF_2/Si(111) エピタキシャル成長における二次元島密度のテラス幅依存性(領域 9)
• 20aPS-50 Si(111) 表面上の CaF_2 成長過程におけるステップカイネティクス
• 14pXG-12 シリコン表面上に形成したトレンチ構造の側壁におけるステップの挙動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 20aPS-38 SrTiO_3(001) 表面におけるステップの揺らぎ
• 19pRH-3 Si(113)微斜面の酸素ガスエッチング過程におけるファセット成長
• Si(111)上のCaF_2薄膜成長の走査トンネル顕微鏡観察
• SiO_2/Si(001)界面の走査トンネル顕微鏡による解析
• 28aTA-9 Si(113)表面のファセッティングにおけるステップダイナミクス
• 24pPSA-48 CaF_2/Si(111)表面のSTM観察
• 24aPS-62 STMによるSi表面上における電界誘起ナノピット形成
• 26aPS-45 Si(113)微斜面におけるファッセッティングのダイナミクス
• 8a-H-3 Si(111)"1×1"-As相のLEED散漫散乱の温度依存性
• 4a-RJ-9 Si(111)5×1-Au相の角度分解電子エネルギー損失分光
• MOSFET断面構造の走査型トンネル顕微鏡および原子間力顕微鏡による評価
• シリコン表面におけるステップダイナミクスの研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
• 2a-YB-10 AFMによる鎖状DNA分子の観察
• 第8回固体センサ-・アクチュエ-タ国際会議報告
• 30a-D-10 Ge_xSi_(111)高温相の(√×√)的散漫散乱構造
• 1a-S-11 Si(111)表面の低温及び高温におけるステップ構造
• 1a-S-9 Si(111)高温相の√×√散漫散乱
• 27a-Y-13 Si(111)7×7清浄表面及びAg吸着面における表面プラズモンの分散
• 27a-Y-3 Si(111)7×7及び1×1清浄面の角度分解EELS
• 走査トンネル(効果)顕微鏡による表面原子構造の実空間観察--Si(111)7×7超構造表面(トピックス)
• 30p-M-11 I-V曲線に現われたSi(001)表面の非弾性低速電子回折の異常
• 31a-L-6 Si(001)面の表面遷移ELSの角度分布
• 2a-NM-9 Si(001)面の表面プラズモンの分散
• Selective Reaction of Ferrocene with Si(111) Using a CaF Mask
• Epitaxial Growth of CaF_2 Films on Si(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy(Surfaces, Interfaces, and Films)
• 24aPS-114 微斜面上でのサブモノレイヤー成長における2次元島の形成と成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aPS-17 シリコン結晶中における酸素拡散の分子動力学シミュレーション(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 2p-Q-14 LaB_6表面局在電子状態のUPS
• シリコン表面のESRによる研究 : 半導体 (表面)
• 電界イオン顕微鏡による金属蒸着膜の研究 : 薄膜
• Evaluation of the Figure of Merit of Thermoelectric Modules by Harman Method
• Evaluation of the Figure of Merit on Thermoelectric Materials by Harman Method
• 耐熱金属への酸素をセシウムの吸着 : 表面物理, 薄膜
• Si (001) 面からの低速電子線非弾性回折 (ILEED)
• 角度分解電子エネルギー損失分光法によるSi表面の研究(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
• 3p-U-6 FIMによる表面構造の解析
• 結晶表面の複合解体と評価
• 真空漏れさがし : 私はこうしている [IV] (実験メモ)
• J.J. Hren and S.Ranganathan 編: Field-Ion Microscopy, Plenum Press, 1968, 244頁, 16×23.5cm, 6,000円.
• 表面移動および核生成(FEM, FIM) : 薄膜・表面物理・真空・合同シンポジウム : 固体表面現象の問題点I : 吸着と蒸着
• 低速電子透過分光法
• 26pSA-8 スピン軌道相互作用とローレンツ力との協同効果による磁気およびホール抵抗(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pPSA-28 低濃度(水素雰囲気からの高濃度水素吸蔵体YH_3およびGdH_3の結晶成長(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 18aPSA-14 両極性伝導型Gd_XY_H_2における異常および正常ホール効果(18aPSA 領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・遍歴・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 7aSN-3 SrTiO3(001)表面におけるステップの形態(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
• 31p-P-13 銅表面の電気化学的溶解に伴うカイネティックラフニング(31pP 統計力学・物性基礎論(凝集系,フラクタル),統計力学・物性基礎論)
• 1p-BG-4 SiC-金属界面の研究-パルスレーザー・アトムプローブ法による-(1p BG 表面・界面)
• 2p-A1-3 Si(111)5×5-GeのAR-EELS(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク