26pWE-8 NiFe/In_<0.75>Ga_<0.25>As4端子構造における種々の磁気抵抗とその起源(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
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概要
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- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-03-01
著者
-
北 智洋
北陸先端大材料
-
佐藤 祐喜
北陸先端大材料
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
佐藤 英崇
北陸先端大、新素材センター
-
北 智洋
北陸先端大、新素材センター
-
佐藤 祐喜
北陸先端大、新素材センター
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