TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転(光記録,一般)
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概要
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大きな垂直磁気異方性を有し,低キュリー温度のTbFeをメモリー層とした[Co/Pd]/MgO /TbFe垂直磁気トンネル接合を作成し,その磁気抵抗(MR)特性およびトンネル障壁へ電流パルスを印加することで発生するジュール熱による熱アシスト磁化反転を確認した.MgO 1.4nmの磁気トンネル接合素子では低バイアス(40mV)でMR比9%,面積抵抗342 Ωum^2程度の値が得られた.またTbFe層の室温での保磁力は1.5 kOe以上であるが,トンネル障壁にパルス幅100 msecの電流パルスを印加することで発生するジュール熱を利用し,100 Oeの磁界で磁化反転を観測した.
- 2013-03-01
著者
-
岩田 聡
名古屋大学大学院工学研究科
-
加藤 剛志
名古屋大学
-
岩田 聡
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
綱島 滋
名古屋産業科学研究所研究部
-
藤澤 佑樹
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岩田 聡
名古屋大学
-
綱島 滋
名古屋産業科学研究所
-
吉川 大貴
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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