磁界変調による微小磁区の光磁気記録過程のシミュレーション
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概要
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磁界変調により微小マークを記録する際にて問題となる,マーク長の拡大,およびマークのCollapseの機構を検討をするため,記録過程のシミュレーションを行った.シミュレーションのモデルは,前後を磁壁で区切られた長方形の磁区を仮定し. Side-wallは考慮していない.磁壁の安定条件はHuthの式を用いた.磁県に働く浮遊磁界のため,マーク長の拡大が起こり,浮遊磁界を小さくするとマーク長の拡大が抑えられる結果を得た.しかし浮遊磁界の減少は磁区の安定性を損ない,磁区がCollapseし易くなるという結果を得た.0.1μmのマークを正しく記録するには,現用のTbFeCo膜の保磁力をさらに増大する必要があることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-21
著者
-
加藤 剛志
名古屋大学大学院工学研究科
-
岩田 聡
名古屋大学大学院工学研究科
-
網島 滋
名古屋大学
-
網島 滋
名古屋大学大学院工学研究科
-
加藤 剛志
名古屋大学
-
小山 倫明
名古屋大学大学院工学研究科
-
岩田 聡
名古屋大学 工
-
小山 倫明
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
岩田 聡
名古屋大学
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