L1_0FePtグラニュラー膜のMBE成長とその磁気特性(光記録及び一般)
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概要
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MgO(001)単結晶基板上にFe_xPt_<1-x>層を0.5nmずつMBE成長し, アニールを繰り返すことで(001)配向のグラニュラー構造膜を作成した。膜厚3nmのFe_<38>Pt_<62>膜では350℃以上のアニールによってL1_0規則相が生成するとともに, 粒径約20nmの物理的に分離したグラニュラー構造となった。またFe_<50>Pt_<50>膜は450℃のアニールで2.0×10^6J/m^3の大きな垂直磁気異方性と1.2MA/mを越える大きな保磁力を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-02-25
著者
-
加藤 剛志
名古屋大学大学院工学研究科
-
岩田 聡
名古屋大学大学院工学研究科
-
綱島 滋
名古屋大学大学院工学研究科
-
奈良 健太郎
名古屋大学大学院工学研究科
-
綱島 滋
名古屋大学
-
伊藤 智哉
名古屋大学大学院工学研究科
-
北原 陽平
名古屋大学大学院工学研究科
-
加藤 剛志
名古屋大学
-
岩田 聡
名古屋大学 工
-
綱島 滋
名古屋産業科学研究所研究部
-
岩田 聡
名古屋大学
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