半導体光増幅器での強度雑音の実測 : 理論解析と実験との比較(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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半導体光増幅器(SOA)の強度雑音特性について実測を行い、当該グループで発表している理論解析結果と比較した。強度雑音は光強度揺らぎの2乗相関値を直流的光強度の2乗値で割った相対雑音強度(RIN)で表現されるが、入射光の光強度が弱い場合はRINが増大し、入射光の光強度が強い場合は、RINは減少する。また、SOAの駆動電流が充分大きい場合は、SOAからの出力光のRINは出力光の強度で定まり、入力光のRINには依存しない。これらの特性を実験的に確認するとともに、理論解析との比較からその物理メカニズムを確証した。
- 2012-05-18
著者
-
山田 実
金沢大学工学部
-
桑村 有司
金沢大学工学部
-
武内 伸仁
金沢大学自然科学研究科
-
山田 実
金沢大学自然学研究科電子情報工学専攻
-
桑村 有司
金沢大学自然学研究科電子情報工学専攻
-
作木 恭兵
金沢大学自然学研究科電子情報工学専攻
-
武内 伸仁
金沢大学自然学研究科電子情報工学専攻
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