多重量子井戸構造を用いた低電圧駆動平面型光変調器の設計
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概要
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多重量子井戸構造を用いた平面透過型半導体光変調器の設計を行った. より低い駆動電圧で, 高い消光比, 低い挿入損を実現するため, 櫛型形状の導電層を用いて量子井戸の横方向から電圧を印加する構造を提案し, 各層厚などについて検討した. 最適な条件で理論設計した例として5Vの駆動電圧で, 消光比10〜20dB, 挿入損2dBを実現するための素子構造を示した. 動作速度としては表面積20×20μm^2の素子で数GHzまで高速化が期待できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-25
著者
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