InGaN系青紫色半導体レーザにおける横マルチモード特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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InGaN系青紫色半導体レーザの発振横モードと,横マルチモードでのファーフィールドパターン(FFP)について報告する.InGaNレーザでは基板として用いられているGaNが波長400nm帯で透明であるため,横高次モードをカットオフにするのは難しく,また,電磁界が基板方向へ染み出す可能性がある.これらの理論解析を行った.加えて,横高次モードの導波利得が横基本モードのものより小さい場合でも,非対称利得により横基本モードと横高次モードが同時に発振し.その結果,FFPが乱れる可能性がある.この現象を理論的に解析し,実験で得られたFFPとの比較を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-21
著者
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